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STP100N6F7

MOSFET LGS LV MOSFET

STP100N6F7
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STP100N6F7

MOSFET LGS LV MOSFET

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante：

    ST

  • Ficha de datos：

    STP100N6F7 datasheet

  • Paquete/Estuche：

    TO-220-3

  • categoria de producto：

    Ics de administración de energía

  • RoHS Status：

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 06, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 09, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega：
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Pago ：
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Existencias：2000 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

STP100N6F7 Detalles de producto

Features

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• Among the lowest RDS(on) on the market 

• Excellent figure of merit (FoM) 

• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 

• High avalanche ruggedness

Applications 

• Switching applications 

Description 

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

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