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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante:

    SAMSUNG

  • Ficha de datos:

    K7N803645B-QC13 datasheet

  • Paquete/Estuche:

    LQFP-100

  • categoria de producto:

    Circuitos integrados de RF

  • RoHS Status:

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 21, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 23, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega:
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Pago :
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Existencias:3000 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

K7N803645B-QC13 Detalles de producto

Features

• 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

• I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O.

• Byte Writable Function.

• Enable clock and suspend operation.

• Single READ/WRITE control pin.

• Self-Timed Write Cycle.

• Three Chip Enable for simple depth expansion with no data contention .

• Α interleaved burst or a linear burst mode.

• Asynchronous output enable control.

• Power Down mode.

• 100-TQFP-1420A

• Operating in commercial and industrial temperature range.


Description

The K7N803601B and K7N801801B are 9,437,184 bits Synchronous Static SRAMs.


The NtRAMTM, or No Turnaround Random Access Memory utilizes all the bandwidth in any combination of operating cycles. Address, data inputs, and all control signals except output

enable and linear burst order are synchronized to input clock. Burst order control must be tied "High or Low". Asynchronous inputs include the sleep mode enable(ZZ). Output Enable controls the outputs at any given time. Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising edge of the clock input. This feature eliminates complex offchip write pulse generation and provides increased timing flexibility for incoming signals.


For read cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by an edge triggered output register and then released to the output buffers at the next rising edge of clock.


The K7N803601B and K7N801801B are implemented with SAMSUNG′s high performance CMOS technology and is available in 100pin TQFP and Multiple power and ground pins minimize ground bounce.

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