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FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

FDN360P
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FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

  • Fabricante:

    onsemiconductor

  • Ficha de datos:

    FDN360P datasheet

  • Paquete/Estuche:

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • categoria de producto:

    Bujes, Ojales

  • RoHS Status: Estado RoHS Lead free/RoHS Compliant

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Certificación :
Pago :
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Existencias : 105023 PCS

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FDN360P Reemplazo de piezas

Imagen y número de pieza Fabricantes Paquete/Estuche categoria de producto Ficha de datos Existencias Cita
Blue Rocket SOT23-3 Bujes, Ojales 1418

FDN360P Detalles de producto

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FDN360P

Description

The FDN360P is a high-performance Trans MOSFET from Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd. It features a P-CH 30V, 2A rating with low gate charge and advanced trench technology for minimal on-state resistance (RDS(ON)). The FDN360P is versatile and suitable for various applications, particularly in battery-powered circuits due to its efficient power handling capabilities.

Features

The FDN360P features a high-performance trench technology, which provides extremely low Rdson (on-resistance). It has a low gate charge of around 6.2nC typical, making it suitable for fast switching applications. This MOSFET comes in an industry-standard SOT-23 package, but with a 30% higher power handling capability compared to the standard version. Its versatility and performance make it well-suited for battery-powered circuits and general-purpose applications.

Package

The package type of FDN360P is SSOT-3, a SuperSOT three-pin package.

Pinout

The FDN360P has a pin count of 3, which are typically referred to as Pin 1 (Source), Pin 2 (Drain), and sometimes a third pin for Gate or other functionality. Functionally, Pin 1 connects to the source terminal of the MOSFET, while Pin 2 connects to the drain terminal. The third pin (Gate) controls the flow of current between Source and Drain. Please note that actual documentation should be consulted for definitive information on the FDN360P's pin functions.

Manufacturer

The FDN360P is manufactured by Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd. This company appears to be a specialized micro-industrial firm, focusing on the production of electronic components.

Applications

The FDN360P is a high-performance MOSFET suitable for various applications, including battery-powered circuits due to its low RDS(on) and compact size.

Total de pedidos históricos por año

Historial anual de pedidos para FDN360P
Año Pedidos totales (cantidad)
2019 2
2021 1
2023 1

Información sobre la demanda del mercado: Los datos históricos muestran un patrón de demanda estable y consistente, con un promedio de 1.3 pedidos por año, lo que lo convierte en una opción fiable para el abastecimiento a largo plazo.

Volatilidad de los pedidos anuales (agrupados por año): desviación estándar 0.47; rango (máximo menos mínimo) 1.

Este gráfico muestra el volumen anual de pedidos de la pieza en los últimos 10 años, reflejando la demanda histórica y la actividad del mercado. Los datos multianuales ayudan a evaluar la estabilidad de la demanda, los patrones de abastecimiento y la presencia a largo plazo.

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