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F1010E

IR Transistores TO-220

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F1010E

IR Transistores TO-220

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante：

    IR

  • Ficha de datos：

    F1010E datasheet

  • Paquete/Estuche：

    TO-220

  • categoria de producto：

    Transistores

  • RoHS Status：

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 22, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 27, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega：
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Pago ：
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Existencias：7498 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

F1010E Detalles de producto

  • Advanced Process Technology  

  • Ultra Low On-Resistance  

  • Dynamic dv/dt Rating  

  • 175°C Operating Temperature  

  • Fast Switching 

  • Fully Avalanche Rated

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. 

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.


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Absolute Maximum Ratings

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