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IRS2001STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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IRS2001STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante:

    Infineon

  • Ficha de datos:

    IRS2001STRPBF datasheet

  • Paquete/Estuche:

    SOP-8

  • categoria de producto:

    Chips IC

  • RoHS Status: Estado RoHS Lead free/RoHS Compliant

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 08, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 13, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega:
fedex ups ems dhl other
Pago :
jcb American express tt discover paypal

Existencias:31000 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

IRS2001STRPBF Detalles de producto

Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational to +200 V

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20 V

• Undervoltage lockout

• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible

• Matched propagation delay for both channels

• Outputs in phase with inputs


Description

The IRS2001 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic.  The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 200 V.


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