Hojas de datos Soluciones de reemplazo
RFQ/BOM 0 Iniciar sesión / Registro

Selecciona tu ubicación

MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRFE6S9160H
  • MRFE6S9160H
  • play
    product video

Las imágenes son sólo para referencia..
Consulte las Especificaciones del producto para obtener detalles del producto.

Medios de comunicación social

MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante：

    FREESCALE/NXP/AVNET

  • Ficha de datos：

    MRFE6S9160H datasheet

  • Paquete/Estuche：

    SMD

  • categoria de producto：

    Transistores

  • RoHS Status：

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 09, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 14, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega：
fedex ups ems dhl other
Pago ：
jcb American express tt discover paypal

Existencias：6436 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

MRFE6S9160H Detalles de producto

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters 

• Internally Matched for Ease of Use 

• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation 

• Integrated ESD Protection 

• RoHS Compliant 

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.


Description

Designed for N - CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. 

• Typical Single-Carrier N-CDMA. Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain ó 21 dB Drain Efficiency ó 31% ACPR @ 750 kHz Offset ó -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth 

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness.


blob.png    blob.png

Maximum Ratings

blob.png

Thermal Characteristics

blob.png

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes - AN1955.

Request a quote MRFE6S9160H at censtry.com. All items are new and original with 365 days warranty! The excellent quality and guaranteed services of MRFE6S9160H in stock for sale, check stock quantity and pricing, view product specifications, and order contact us：sales@censtry.com.
The price and lead time for MRFE6S9160H depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

Dirección：

RF Power Field Effect Transistors

MRFE6S9160H

MRFE6S9160H Productos Asociados

Q&A for MRFE6S9160H