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CMPA2735075F

RF Amplifier GaN MMIC Power Amp

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RF Amplifier GaN MMIC Power Amp

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante：

    Cree

  • Ficha de datos：

    CMPA2735075F datasheet

  • Paquete/Estuche：

    SMD

  • categoria de producto：

    Amplificador Ics

  • RoHS Status：

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Entrega：
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Pago ：
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Existencias：1 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

CMPA2735075F Detalles de producto

Features 

• 29 dB Small Signal Gain 

• 76 W Typical PSAT 

• 28 V Operation 

• High Breakdown Voltage 

• High Temperature Operation 

• 0.5" x 0.5" Total Product Size

Applications 

• Civil and Military Pulsed Radar Amplifiers

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Description 

Cree’s CMPA2735075F1 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling very wide bandwidths to be achieved.

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