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MRF6V2300NR1

10--600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL SINGLE--ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs

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MRF6V2300NR1

10--600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL SINGLE--ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante:

    Avnet/NXP/Freescale

  • Ficha de datos:

    MRF6V2300NR1 datasheet

  • Paquete/Estuche:

    TO-270

  • categoria de producto:

    Transistores

  • RoHS Status:

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 10, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 15, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

Entrega:
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Pago :
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Existencias:6332 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

MRF6V2300NR1 Detalles de producto

• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters 

• Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation 

• Integrated ESD Protection 

• 225°C Capable Plastic Package 

• RoHS Compliant 

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel

Description

Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications. 

• Typical CW Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 900 mA, Pout = 300 Watts, f = 220 MHz Power Gain ó 25.5 dB Drain Efficiency ó 68% 

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power


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Table 1. Maximum Ratings

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Table 2. Thermal Characteristics

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Table 3. ESD Protection Characteristics

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1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product. 

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

Request a quote MRF6V2300NR1 at censtry.com. All items are new and original with 365 days warranty! The excellent quality and guaranteed services of MRF6V2300NR1 in stock for sale, check stock quantity and pricing, view product specifications, and order contact us:sales@censtry.com.
The price and lead time for MRF6V2300NR1 depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

Dirección:

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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