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ATF-53189

Avago Semiconductores discretos Diodos y rectificadores SOT-89

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ATF-53189

Avago Semiconductores discretos Diodos y rectificadores SOT-89

Los pedidos superiores a $200 son elegibles para un regalo de estilo chino de edición limitada.

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Los pedidos superiores a $1000 califican para una exención de tarifa de envío de $30.

Los pedidos que superen los $5000 disfrutan de la exención de tarifas de envío y transacción.

Estas ofertas son aplicables tanto a clientes nuevos como existentes y son válidas desde el 1 de enero de 2024 hasta el 31 de diciembre de 2024..

  • Fabricante:

    Avago

  • Ficha de datos:

    ATF-53189 datasheet

  • Paquete/Estuche:

    SOT-89

  • categoria de producto:

    Diodos y rectificadores

  • RoHS Status:

Envíe su solicitud de cotización ahora y esperamos brindarle una cotización dentro de mayo 01, 2024. Realice su pedido ahora y esperamos completar la transacción dentro de mayo 06, 2024. Ps: La hora es según GMT+8:00.

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Pago :
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Existencias:3039 PCS

Nuestro compromiso es entregar cotizaciones rápidas dentro de las 12 horas. Para obtener más ayuda, por favor contáctenos en sales@censtry.com.

ATF-53189 Detalles de producto

Description 

Avago Technologies’s ATF-53189 is a single-voltage high linearity, low noise E-pHEMT FET packaged in a low cost surface mount SOT89 package. The device is ideal as a high-linearity, low noise, medium-power amplifier. Its operating frequency range is from 50 MHz to 6 GHz. 

ATF-53189 is ideally suited for Cellular/PCS and WCDMA wireless infrastructure, WLAN, WLL and MMDS application, and general purpose discrete E-pHEMT amplifiers which require medium power and high linearity. All devices are 100% RF and DC tested.

Pin Connections and Package Marking

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Notes: Package marking provides orientation and identification: “3G” = Device Code “x” = Month code indicates the month of manufacture. D = Drain S = Source G = Gate

Features 

  • Single voltage operation 

  • High Linearity and Gain  

  • Low Noise Figure 

  • Excellent uniformity in product specifications 

  • SOT 89 standard package  

  • Point MTTF > 300 years[2]  

  • MSL-1 and lead-free 

  • Tape-and-Reel packaging option available

Specifications 

  • 2 GHz, 4.0V, 135 mA (Typ.) ! 

  • 40.0 dBm Output IP3 ! 23.0 dBm Output Power at 1dB gain compression ! 

  • 0.85 dB Noise Figure ! 

  • 15.5 dB Gain ! 46% PAE at P1dB ! 

  • LFOM[3] 12.7 dB 

Applications 

  • Front-end LNA Q1 and Q2, Driver or Pre-driver Amplifier for Cellular/PCS and WCDMA wireless infrastructure 

  • Driver Amplifier for WLAN, WLL/RLL and MMDS applications 

  • General purpose discrete E-pHEMT for other high linearity applications


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Dirección:

Enhancement Mode[1] Pseudomorphic HEMT

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