Dynamic random-access memory (DRAM) is a type of random access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal-oxide-semiconductor (MOS) technology.DRAM typically takes the form of an integrated circuit chip, which can consist of dozens to billions of DRAM memory cells. DRAM chips are widely used in digital electronics where low-cost and high-capacity computer memory is required. One of the largest applications for DRAM is the main memory in modern computers and graphics cards.
Número de pieza | Densidad | organización. | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica | Operación |
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Número de pieza H9HKNNNCTUMUBR | Densidad 32Gb | organización x16 | Velocidad L/M | Actualizar | Paquete FBGA | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TQ1G83EFR-H9I | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete BGA78 | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TQ1G83AFP-H9C | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete BGA | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza K4B1G0846F-HYLH9 | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Samsung | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TQ1G83DFR-H9I | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete BGA | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza EM6GC08EWUD-12H | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Etron | Solicitud de cotización |
Número de pieza K4B1G0846D-HCF00HB | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Samsung | Solicitud de cotización |
Número de pieza K4B1G0846D-HCF9 | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Samsung | Solicitud de cotización |
Número de pieza K4B1G0846D-HCH9 | Densidad | organización 128M×8 | Velocidad | Actualizar | Paquete BGA | Fábrica Samsung | Solicitud de cotización |
Número de pieza MT41K128M16HA-15EIT: D | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Micron | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TC2G63FFR-H9I | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete FBGA96 | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TC2G63BFR-H9C | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza EXJ2116DBSE-DJSX-F | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Elpida | Solicitud de cotización |
Número de pieza EDJ2116DASE-DJ-F | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete FBGA | Fábrica Elpida | Solicitud de cotización |
Número de pieza EDJ2116EEBG-GN-F-D | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Elpida | Solicitud de cotización |
Número de pieza EDJ2116DEBG-DJ-E | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Elpida | Solicitud de cotización |
Número de pieza MT41J128M16JT-15E:D | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Micron | Solicitud de cotización |
Número de pieza H5TC2G63DFR-H9C | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete FBGA | Fábrica Hynix | Solicitud de cotización |
Número de pieza MT41J128M16JT-15E:G | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete | Fábrica Micron | Solicitud de cotización |
Número de pieza K4B2G1646E-BYH9 | Densidad | organización 128M×16 | Velocidad | Actualizar | Paquete FBGA | Fábrica Samsung | Solicitud de cotización |